黄昆（1919年9月2日-2005年7月6日），生于北京，祖籍浙江嘉兴。今年是黄昆的百年诞辰。8月30日上午，由北京大学物理学院、微纳电子系、人工微结构和介观物理国家重点实验室、微米/纳米加工技术国家级重点实验室联合主办的纪念黄昆先生百年诞辰暨“五校联合半导体物理专门化”学术研讨会在北京大学中关新园科学报告厅举行。出席这次研讨会的共有18位院士，分别是：王启明、秦国刚、杨应昌、陈佳洱、王阳元、郑有炓、陈难先、甘子钊、夏建白、赵光达、郑厚植、王立军、朱邦芬、欧阳颀、田刚、李树深、刘明、黄如。

会议现场北大微纳电子学系王阳元院士、物理学院甘子钊院士和中国科学院半导体所夏建白院士先后把黄昆在半导体物理和固体物理领域所作贡献进行了介绍。

1954年，黄昆敏锐地捕捉到了国际科研前沿的动态，与一众专家提议国家集中力量培养半导体技术骨干。1956年，北京大学、复旦大学、南京大学、厦门大学和东北人民大学（现吉林大学），五校联合在北大物理系开办了我国第一个半导体专门化培训班。黄昆任主任，谢希德任副主任。

中国第一个“联合半导体物理专门化”在北大建立

曾经与黄昆共事的中科院院士朱邦芬说，黄昆始终认为在中国培养一支科研队伍的重要性远远超过个人在学术上的成就。因此，在上世纪50年代初正处于科研第一个高峰期的黄昆完全放弃了研究工作，全力投入物理教学中。1977年，黄昆任半导体所所长。他每星期抽半天系统地为大家讲授现代半导体理论，一连讲了10个月。

虽然自己不研制半导体芯片，黄昆对我国半导体微电子产业的历程认真作了反思。除国内政治干扰和西方国家技术封锁等原因外，除国内多部门低水平的重复建设、投资分散强度低、基础材料、工艺水平不过关、不重视产品的成品率和开拓市场等管理问题外，黄昆总结出一条教训：越是国家重视的学科，该学科的基础科学研究反而越容易受到冲击。这是因为，对于完成国家指令性任务，物理研究往往“远水解不了近渴”。这样，刚起步时我们和国外研究水准相差不多，但由于不重视自己原创性的基础研究和开发研究，跟在别人后面亦步亦趋，导致差距越来越大。在今天，黄昆总结的这一规律值得我们引以为训。

上课黄昆的工作很多，常常夜里工作，靠抽烟提神。有一天早晨黄昆戴着一顶帽子来上班，他突然把帽子一掀变成一个光头。大家十分诧异，问他，他说就一夜之间头发全部掉光，大概是鬼剃头吧。不过他还幽默地说，这倒好了，不用再花时间理发了。

今天不断有人追忆黄昆，许多了解他的人，无不为他的学问、为人、做事所折服。先生之风，追之慕之！

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